24 сентября день своего рождения отмечает Александр Леонидович Асеев – академик, вице-президент РАН, председатель Сибирского отделения РАН, директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.
А.Л. Асеев – физик, специалист по атомной структуре, электронным свойствам и диагностике полупроводниковых систем пониженной размерности, микро- и нано-структур.
Родился 24 сентября 1946 г. В 1968 г. закончил Новосибирский государственный университет. В 1975 г. защитил кандидатскую диссертацию «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоев кремния и германия на различных подложках», а в 1990-м – докторскую диссертацию «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов». В 2000 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации РАН, в 2006-м – действительным членом РАН по Отделению физических наук РАН. Вице-президент Российской академии наук, председатель Сибирского отделения РАН со 2 июня 2008 г.
По окончании НГУ работает в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, с 1998 г. – в качестве директора Института. Профессор кафедры физики полупроводников Томского государственного университета. Под его руководством защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации. В 2006 г. избран почетным членом Физико-технического Института им. А.Ф. Иоффе РАН (г. Санкт-Петербург); в 2010 г. награжден золотой медалью «За вклад в развитие Томского государственного университета» и удостоен звания почетного доктора Томского государственного университета, член Попечительского Совета Программы развития Национального исследовательского Томского государственного университета. В 2010 г. А.Л. Асееву присвоено звание почетного профессора Бурятского государственного университета.
А.Л. Асеев – член Научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, по электронной микроскопии, заместитель председателя Научного совета «Фундаментальные проблемы создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем» РАН, председатель докторского диссертационного совета, член редколлегий журналов РАН «Физика и техника полупроводников» и «Автометрия», «Известия ВУЗов. Материалы электронной техники», «Crystal Research and Technology», «Нано- и микросистемная техника», «Российские нанотехнологии», «НАНО Технологии Экология Производство», «Проблемы информатики», электронного журнала «Surface Science and Nanotechnology».
А.Л. Асеев – автор и соавтор более 220 научных работ, из них 5 монографий и 9 патентов.
С 2001 г. – член президиума СО РАН, член бюро совета директоров институтов Новосибирского научного центра СО РАН, ученого совета Новосибирского государственного университета. В 1996-2005 гг. входил в состав совета Международного центра по материаловедению и электронной микроскопии (Германия). С 2010 г. входит в состав Совета при президенте РФ по науке, технологиям и образованию; член Научно-технического совета ОАО «Роснано». С 2011 г. – член Научно-технического совета ОАО «НПК «Оптические системы и технологии». С 2006 г. – член Научно-технического совета Военно-промышленной комиссии при Правительстве Российской Федерации.
Награжден медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени, грамотами и благодарностями Государственной Думы РФ, Федерального агентства по атомной энергии. В 2009 г. А.Л. Асееву вручена высшая награда Кемеровской области «Ключ Дружбы». В 2010 г. награжден высшим орденом Монголии «Полярная звезда», в 2009 г. удостоен почетного знака Республики Саха (Якутия) «Гражданская доблесть».
Научная и организационная деятельность
Научная деятельность посвящена изучению атомных механизмов формирования полупроводниковых систем пониженной размерности. А.Л. Асеевым получены принципиально новые данные о роли метастабильных конфигураций точечных дефектов в реакциях взаимодействия между собой, с поверхностью, атомами примесей и дислокациями в кристаллах кремния и германия. На поверхности кристаллов кремния впервые обнаружены обратимые переходы системы регулярно расположенных моноатомных ступеней при сублимации и росте примесно-индуцированных сверхструктурных доменов.
А.Л. Асеевым исследованы элементарные акты процессов эпитаксиального роста на кремнии, которые стали основой для развития технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и создания ряда приборов полупроводниковой электроники. Под руководством А.Л. Асеева ведутся работы по получению нанотранзисторов в структурах кремний-на-изоляторе, по разработке новых типов элементов памяти, элементов силовой электроники и солнечной энергетики на кремнии, по материаловедению высокосовершенных кристаллов кремния.
Под его руководством в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН создан современный научно-технологический комплекс для исследования полупроводниковых микро- и наноструктур с квантовыми свойствами, развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств.
Результаты работ А.Л. Асеева в этой области обеспечили получение в России стратегически важного материала инфракрасной техники – эпитаксиальных слоев соединения кадмий-ртуть-теллур.
На посту председателя Сибирского отделения РАН и вице-президента РАН А.Л. Асеев ведет большую организационную работу по повышению уровня фундаментальных исследований в России, обеспечению участия институтов Сибирского отделения РАН в программах социально-экономического развития регионов Сибири, инновационного развития крупных государственных и частных корпораций (ГК «Ростехнологии», ГК «Росатом», ОАО «Роснано», ОАО «НК «Роснефть», ОАО «Газпром», ОАО «Компания «Сухой» и др.), по участию в технологических платформах «Медицина будущего», «Национальная информационная спутниковая система», «Глубокая переработка углеводородных ресурсов» и др. Успешно развиваются программы сотрудничества СО РАН с ведущими вузами Сибири, такими как Сибирский и Северо-Восточный Федеральный университет, Новосибирский и Томские национальные исследовательские университеты. Будучи членом НТС ВПК, А.Л. Асеев обеспечивает участие институтов СО РАН в выполнении НИОКР в интересах силовых ведомств России, в том числе в рамках подготовленной в РАН государственной программы фундаментальных и поисковых исследований в области обеспечения обороны и безопасности.
Фото В. Новикова.