Дирекция и ученый совет Института физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАН Украины наградили академика Александра Леонидовича Асеева юбилейным знаком «Вадим Евгеньевич Лашкарёв».

В связи с 50-летием Института физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАН Украины и в ознаменование многолетней дружбы с Институтом физики полупроводников им. В.А. Ржанова СО РАН дирекция и ученый совет института наградили академика Александра Леонидовича Асеева, директора ИФП СО РАН, председателя Сибирского отделения Российской академии наук, юбилейным знаком «Вадим Евгеньевич Лашкарёв».

Плодотворное сотрудничество двух институтов началось еще при академиках А.В. Ржанове и В.П. Лашкарёве и успешно продолжается до сих пор. Последний пример -- разработка и получение большеформатных (640х512 пикселов) фотоприемных матриц инфракрасного диапазона на основе гетероэпитаксиальных структур кадмий -- ртуть -- теллур. Со стороны ИФП СО РАН работу ведет проф. Ю.Г. Сидоров, со стороны ИФП НАНУ -- чл.-корр. НАНУ Ф.Ф. Сизов.

Выдающийся советский ученый академик Вадим Евгеньевич Лашкарёв -- один из пионеров в области создания транзисторов. Еще в 1941 г. он опубликовал статью «Исследование запирающих слоев методом термозонда» (ИАН СССР. Сер физ. Т.5), в которой установил, что обе стороны «запорного слоя», расположенного параллельно границе раздела медь -- закись меди, имеют противоположные знаки. Это явление получило название p-n перехода (p -- от positive, n -- от negative). В.Е. Лашкарёв раскрыл и механизм инжекции -- важнейшего явления, на основе которого действуют транзисторы.

Первое сообщение в американской печати о появлении полупроводникового транзистора появилось в 1948 г., спустя семь лет после статьи В.Е. Лашкарёва. Джон Бардин и Уолтер Браттейн пошли по пути создания точечного транзистора на базе кристалла германия n-типа. Однако этот прибор не отличался устойчивостью и надежностью в работе, поэтому практического применения не получил. В 1951 г. Уильям Шокли создал более надежный транзистор p-n-p типа, состоявший из трех слоев германия. Уже через несколько лет значимость изобретения американских ученых стала очевидной, и в 1956 г. Бардин, Шокли и Браттейн были удостоены Нобелевской премии.

К сожалению, как это неоднократно бывало в истории науки, «холодная война» и «железный занавес» сыграли свою роль, и советский ученый В.Е. Лашкарёв нобелевским лауреатом не стал. Но до конца жизни (1974 г.) он продолжал заниматься исследованием физических свойств полупроводников. В 1960 г. В.Е. Лашкарёв основал и возглавил Институт физики полупроводников АН УССР. В 2002 г. ИФП НАН Украины было присвоено его имя.