Серия «Интеграционные проекты СО РАН» пополнилась новым томом. Монография посвящена атомной, электронной структуре, механизмам переноса заряда и применению диэлектриков в кремниевых приборах флэш-памяти.

Издание является результатом работы, выполненной в рамках междисциплинарного интеграционного проекта СО РАН «Атомная и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью и квантовых точек в них» и интеграционного проекта «Исследование и оптимизация ФЛЭШ памяти на основе нанометровых диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью».

История интеграционных проектов берет начало в 1992 году, когда в соответствии с постановлением Президиума СО РАН был объявлен конкурс международных научных проектов с участием институтов Отделения.

Первый конкурс интеграционных проектов был проведен в 1997 году по инициативе председателя Отделения академика Н.Л. Добрецова. Из поданных на конкурс 174 заявок было поддержано 43 исследовательских проекта и 3 проекта по теме «Научное оборудование».

Сегодня в числе интеграционных проектов Сибирского отделения РАН на 2009-2012 годы – междисциплинарные проекты фундаментальных исследований; проекты, выполняемые совместно со сторонними научными организациями; проекты, выполняемые по заказу Президиума СО РАН; совместный конкурс проектов фундаментальных исследований НАН Беларуси и СО РАН; совместный  конкурс проектов СО РАН и Национального научного совета Тайваня; конкурс проектов, выполняемых СО РАН и Академией наук Монголии совместно с Министерством образования, культуры и науки Монголии.

По материалам выполненных интеграционных проектов опубликовано 1500 статей в рецензируемых журналах, Издательством СО РАН выпущена 31 книга, в числе которых – «Фотонные кристаллы и нанокомпозиты», «Исследования и разработки СО РАН в области энергоэффективных технологий», «Роль микроорганизмов в функционировании живых систем» и многие другие.