10 апреля 2015 года исполнилось 70 лет заместителю директора, заведующему лабораторией неравновесных полупроводниковых систем Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, лауреату Государственной премии, члену-корреспонденту РАН Анатолию Васильевичу Двуреченскому.

А.В. Двуреченский – известный в мире специалист в области радиационной физики, атомной структуры и электронных явлений в полупроводниках и полупроводниковых низкоразмерных системах, технологии полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники. Область научной деятельности А.В. Двуреченского: атомная и электронная конфигурация дефектов, вводимых в полупроводники при облучении быстрыми частицами, синтез полупроводниковых наногетероструктур из молекулярных пучков, гетероструктуры с квантовыми точками, квантовыми ямами, лазерный отжиг. А.В. Двуреченский в 1968 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета по специальности «Физика». Его научная деятельность началась в Институте физики полупроводников СО АН СССР в лаборатории радиационной физики. Перед молодым сотрудником была поставлена задача исследования дефектов в кремнии методом электронного парамагнитного резонанса. В 1974 году он защитил кандидатскую диссертацию «Взаимодействие дефектов, введенных ионной бомбардировкой в кремний, между собой и примесью», а в 1988 году ему была присуждена степень доктора физико-математических наук за работу «Радиационная модификация неупорядоченных систем на основе кремния». В 1993 году было присвоено звание профессор по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков». В 2008 году избран членом-корреспондентом РАН (специальность «наноэлектроника») по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН. Основная направленность проводимых А.В. Двуреченским исследований была связана с разработкой метода и технологии процесса легирования полупроводников с помощью ионной имплантации, а также нейтронного облучения. В реализации радиационных методов легирования полупроводников главная проблема заключалась в огромном количестве дефектов, возникающих в материале при внедрении даже отдельных атомов легирующих примесей с высокой энергией при использовании ускорительной техники. Вводимые дефекты катастрофически изменяли свойства материала, особенно полупроводников, как наиболее чувствительных к внешним воздействиям даже при слабых потоках частиц. Дефекты фактически маскировали проявление легирования материала – изменение свойств, связанных с внедренным химическим элементом. Полученные А.В. Двуреченским с коллегами результаты исследований формирования и перестройки дефектов, перехода кристалла в аморфное состояние при ионном облучении привели к первым успехам в решении проблем легирования материала. Температура перекристаллизации аморфизированных ионной имплантацией слоев оказалась заметно ниже температуры устранения многих точечных и протяженных дефектов кристаллической структуры. Прорывным успехом в решении проблемы устранения дефектов стало «Открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твердых тел (лазерный отжиг)» – именно под таким названием за цикл работ по исследованию процессов взаимодействия импульсного излучения с твердым телом в 1988 году была присуждена Государственная премия СССР А.В. Двуреченскому с коллегами из ИФП СО АН, КФТИ АН, ФТИ им. Иоффе, ФИАН. Суть явления заключалась в восстановлении кристаллической структуры после импульсного воздействия лазерного излучения на ионно-легированные полупроводниковые пластины с аморфным слоем. Скорость превращения аморфного слоя в монокристаллическую область оказалась на много порядков выше типичных величин роста кристаллов, и этот факт вызывал особый интерес у исследователей различных областей к лазерному отжигу. А.В. Двуреченским с коллегами установлены закономерности структурных превращений и растворимости легирующих элементов при высоких скоростях кристаллизации в условиях импульсного лазерного/электронного нагрева аморфных слоев кремния. В рамках международного сотрудничества по теме «Разработка физических основ ионно-импульсной модификации материалов микроэлектроники" в 1988 году ему с коллегами была присуждена международная премия Академий наук СССР и ГДР. С позиций практических применений развитое направление обеспечило наиболее полную реализацию достоинств технологии ионной имплантации, ставшую в настоящее время главной и фактически единственной технологией в процессах легирования полупроводников при производстве изделий электронной техники во всем мире. Импульсный (лазерный) отжиг также стал базовой технологией в ведущих мировых фирмах – производителях различных схем и устройств электронной техники. Открытое А.В. Двуреческим с коллегами явление импульсного отжига стало крупнейшим вкладом российской науки в развитие микроэлектроники во всем мире. На основе проводимых в настоящее время исследований морфологических изменений поверхности при росте из молекулярных, ионно-молекулярных пучков и последующего лазерного отжига А.В. Двуреченским с сотрудниками разработана технология создания нового класса полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками в системе германий/кремний (двухмерные и трехмерные ансамбли квантовых точек). Предложены и разработаны методы, обеспечивающие повышение однородности ансамбля квантовых точек по размерам, упорядочению их в пространстве, выполнены пионерские работы по изучению электрических, оптических и магнитных явлений в созданных наногетероструктурах, выявлены одноэлектронные и коллективные эффекты, установлены электронная структура одиночных и ансамбля туннельно-связанных квантовых точек, закономерности переноса заряда, оптических переходов и спиновых состояний. На основе полученных фундаментальных результатов по направлению «Нанотехнологии и наноматериалы» разработаны новые подходы в создании полупроводниковых приборов. А.В. Двуреченский сочетает научно-исследовательскую работу с педагогической деятельностью: с 1987 года преподает в Новосибирском национальном исследовательском государственном университете на кафедре «Физика полупроводников», с 1991 года – профессор этой кафедры. Он разработал и читает спецкурсы «Радиационная физика полупроводников», «Физические основы нанотехнологии». А.В. Двуреченский является автором и соавтором более 380 научных публикаций, включая главы в 9 коллективных монографиях, десять авторских свидетельств, трех патентов. Под его научным руководством защищены три докторские и двенадцать кандидатских диссертаций. В рамках международного сотрудничества работал в университете штата Нью Йорк в Олбани, США; исследовательском центре Россендорф, Дрезден, Германия; университете Фудан, Шанхай, КНР. С 2012 года – член комиссии по развитию физики Международного союза фундаментальной и прикладной физики (International Union of Pure and Applied Physics, IUPAP). А.В. Двуреченский принимает активное участие в жизни Института, Российской академии наук, Новосибирска. Он является заместителем председателя Научного совета РАН по проблеме «Радиационная физика твердого тела», членом научных советов РАН по проблемам «Физика полупроводников» и «Физико-химические основы материаловедения полупроводников», членом редколлегии журналов «Известия ВУЗов, материалы электронной техники», «Успехи прикладной физики», заместителем председателя диссертационного совета по защитам докторских и кандидатских диссертаций при ИФП СО РАН, руководителем ряда программ СО РАН, членом Экспертного совета ВАК по физике. В 2008–2010 гг. являлся членом рабочей группы федеральной целевой программы РФ «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007–2012 годы» по направлению «Индустрия наносистем и материалы». Работы чл.-корр. РАН А.В. Двуреченского отмечены правительственными наградами: Государственная премия СССР (1988), премии Академий наук СССР и ГДР (1988), премия Правительства РФ в области образования (2014). Имеет грамоты РАН (2004), Министерства образования и науки РФ (2007), города Новосибирска (2014, 2015). Мы от всей души поздравляем Анатолия Васильевича с днем рождения, желаем ему крепкого здоровья, счастья и успехов в реализации его научных планов. Председатель СО РАН академик А.Л.Асеев Директор ИФП СО РАН член-корреспондент РАН А.В.Латышев